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Sandbox Physics
晶体缺陷与显微组织

FR39 · 连续互动课程

晶体缺陷与显微组织:位错、晶粒长大与枝晶

金属能弯,是因为原子一排一排地滑移;退火时晶粒变粗,是因为晶界在变直;铸件凝固成树枝状,是因为溶质得先让开。本课程沿着这三个过程,从驱动它们的缺陷或界面出发,推到预测它们的方程,再拿你能亲手运行的模拟检验每一个方程。

345678910−30+3边数面积变化率
有 nn 条边的晶粒的平均面积变化率,单位为 LkLk,汇总自三个固定种子的 160160 乘 160160 多晶(圆点,样本数从 1717 到 37313731)。虚线是冯·诺依曼–马林斯定律 (π/3)(n−6)(\pi/3)(n-6)。五边形晶粒落在线上;六边形晶粒略有长大,边更多的晶粒比定律快 3%3\% 到 6%6\%。

从多出的半个原子面,到一篇已发表的相场模型

第一章用绕不回原点的回路定义位错,写出它的应力场。第二章把应力换算成力,说明同号位错为什么叠成墙。第三章求出把偶极子拉开的应力。第四章转向晶界,它朝曲率中心移动;第五章数晶粒的边,解释多晶为什么会粗化。第六章说明凝固合金的相场模型为什么会截留过多溶质,除非再加一股溶质流;最后一章读提出这股流的论文,并复现其中的图。

需要矢量和导数、应力与应变的概念,以及扩散方程。相场、欧拉公式和薄界面极限在第一次用到时再介绍。 FR39

  1. 01 · L1

    伯格斯矢量与刃位错的应力场

    用绕不回原点的回路定义位错,写出它的弹性场,再用数值伯格斯回路检验公式。

  2. 02 · L2

    Peach–Koehler 力让同号位错排成墙

    把应力换算成位错线上的力,让位错在彼此的场中滑移,看同号位错为什么上下叠起,异号位错为什么停在 45 度。

  3. 03 · L2

    位错偶极子与把它拉开的应力

    相邻滑移面上的一对异号位错能抵抗剪切,直到通过应力;通过应力与面间距成反比。推导它,再检验它。

  4. 04 · L2

    晶界靠曲率移动,圆形晶粒因此匀速缩小

    弯曲的晶界朝曲率中心移动,所以圆形晶粒的面积以恒定速率减小。从相场推出这个规律,再检验它。

  5. 05 · L3

    冯·诺依曼–马林斯定律说,少于六条边的晶粒会缩小

    在二维多晶中,晶粒面积的变化率只取决于它有几条边。推导这条定律,用欧拉公式数边,再把两者都测一遍。

  6. 06 · L3

    合金相场模型中的溶质截留与反截留流

    长大的合金晶体必须排出溶质。为了算得动而取宽的弥散界面会截留过多溶质,加一股额外的流就能消除这个误差。

  7. 07 · L4

    读 Karma 2001 的合金相场论文,并复现其中的枝晶图

    这篇四页短文提出了反截留流。本章带你读:结论在哪里,怎样检验收敛,以及我们复现了哪些图中的数值。

沿途的实验

这些实验中的每个模型都对照了解析结果或已发表的图,路线基准记录了每一次对照。Volterra 场、通过应力和冯·诺依曼–马林斯定律作为单独的参照线画出;屏幕上没有一张是显微照片。

来源与复算范围

  1. A. Kauffmann and D. Schliephake, Plasticity, chapter 4c: Elastic theory of dislocations, lecture slides, Karlsruhe Institute of Technology, version 24-05-02 (2024)

    24-05-02 版,全部幻灯片。第 9、10 页:线沿 zz、伯格斯矢量沿 xx 的直刃位错的位移场和应力场,引自 Hirth 与 Lothe。第 11 页:各应力分量的分布图。第 13 页:相互作用由场的叠加得到。第 15 页:场在位错核附近截断,刃位错约在 1.5 b1.5\,b 处。第 23 页:单位长度上的滑移力为 bτb\tau。

  2. X. Niu, Y. Zhu, S. Dai and Y. Xiang, A continuum model for distributions of dislocations incorporating short-range interactions, arXiv:1707.05161v2 (2018)

    第 2 版,第 2 节“离散位错模型”。式 (2.1):Peach–Koehler 力 f=(σ⋅b)×τ\mathbf f=(\boldsymbol\sigma\cdot\mathbf b)\times\boldsymbol\tau,滑移分量为 bσxyb\sigma_{xy},攀移分量为 −bσxx-b\sigma_{xx}。式 (2.2)—(2.3):各向同性介质中刃位错的应力场。式 (2.4)—(2.7):对所有其他位错求和,再加上外加应力。式 (2.8):迁移率定律 vg=mgfgv_{\mathrm g}=m_{\mathrm g}f_{\mathrm g}。第 4 节讨论偶极墙;本课程没有用到它的连续介质结果。

  3. A. Kazaryan, Y. Wang, S. A. Dregia and B. R. Patton, Generalized phase field model for computer simulation of grain growth in anisotropic systems, arXiv:cond-mat/9912044v1 (1999)

    第 1 版,全文。式 (1):每个序参量一条 Allen–Cahn 方程。式 (2):带梯度项的自由能。式 (5):体自由能密度,取 a1=a2=1a_1=a_2=1、a3=2a_3=2。式 (6) 与图 3:孤立晶粒的面积以恒定速率减小。结尾几段与图 5:平均晶粒面积随时间线性增长。本课程只用各向同性的情形。

  4. J. K. Mason, E. A. Lazar, R. D. MacPherson and D. J. Srolovitz, Geometric and topological properties of the canonical grain growth microstructure, arXiv:1507.03379v1 (2015)

    第 1 版。第 II 节式 (1):冯·诺依曼–马林斯关系 dA/dt=−2πMγ(1−n/6)dA/dt=-2\pi M\gamma(1-n/6),对各向同性的二维晶粒长大严格成立。第 III A 1 节与图 4(a):每个晶粒边数的分布,以及欧拉定理把平均边数固定为六。

  5. A. Karma, Phase-field formulation for quantitative modeling of alloy solidification, arXiv:cond-mat/0103289v1 (2001)

    第 1 版,全文。式 (16)—(18) 与 (22):含反截留流的等温稀合金模型。式 (19)—(20):平衡剖面,以及消除表面扩散的 q(ϕ)q(\phi) 取法。参数段落:Δx=0.4\Delta x=0.4、Δt=0.008\Delta t=0.008、k=0.15k=0.15、Ω=0.55\Omega=0.55、ϵ4=0.02\epsilon_4=0.02、a1=0.8839a_1=0.8839、a2=0.6267a_2=0.6267,晶核半径 22 d022\,d_0。图 1:尖端速度随时间的变化。图 2:沿枝晶轴固相中的溶质。

  6. B. Echebarria, R. Folch, A. Karma and M. Plapp, Quantitative phase-field model of alloy solidification, arXiv:cond-mat/0404164v2 (2004)

    第 2 版。第 I B 节,式 (2):界面厚度取介观尺度时,溶质截留、表面扩散和界面拉伸都与 WW 成正比地放大。第 I D 节:把反截留流作为非变分的修正。第 I E 节,式 (7)—(13):完整模型,式 (10) 的反截留流,系数 a=1/(22)a=1/(2\sqrt2),以及 d0=a1W/λd_0=a_1W/\lambda 和式 (13) 的 β\beta。第 II A 节,式 (17)—(21):等温生长的尖锐界面问题,包括 Stefan 条件和 Gibbs–Thomson 关系。第 IV 节给出薄界面分析;本课程只略读,没有重新推导。

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