多出来的半个原子面
沿一个平面把晶体切开,把切口一侧推动一个原子间距,再粘回去。切口在晶体内部终止的地方,晶格对不上了:这条线上方比下方多出半个原子面。这条线就是刃位错。离它远的原子,邻居都和平常一样;靠近它的地方,晶格被弯曲和拉伸。
位错沿切面移动一个间距时,只有紧挨着这条线的键重新排列。等它扫过整块晶体,上半部分相对下半部分滑移了一个间距,结果和整体滑动相同,所需应力却小得多。位错线在其中运动的平面叫滑移面。
来源:A. Kauffmann and D. Schliephake
绕不回原点的回路
绕位错线画一个由晶格步长组成的回路,比如右四步、上四步、左四步、下四步。在完美晶体中这样走一圈会回到起点;绕着位错走,终点离起点还差一个晶格矢量。这个缺口就是伯格斯矢量 b。刃位错的伯格斯矢量垂直于位错线,螺位错的平行于位错线。
在弹性理论里,同一件事写成位移梯度绕位错一圈的积分。位移本身在切面两侧跳变 b,但它的梯度,也就是应变,在位错核之外是连续的。只要回路绕位错线一圈,积分结果就与它走哪条路无关。
连续介质形式的伯格斯回路。C 是绕位错线一圈的任意曲线,s 是沿它的弧长;不包住位错线的回路,积分为零。来源:A. Kauffmann and D. Schliephake
直刃位错的 Volterra 场
在剪切模量为 μ、泊松比为 ν 的各向同性晶体中,让位错线沿 z,伯格斯矢量沿 x。满足平衡、并在半平面 x<0 两侧跳变 b 的位移如下式;θ 是极角,它跳变 2π,正好给出这个缺口。
求导再用胡克定律,就得到应力。各分量都按距离的一次方反比衰减;与滑移面平行的面上的剪应力在 x=0 和 x=±y 这些线上变号,所以有四瓣。滑移面上方是多出的半原子面所在之处,σxx 为压应力;下方为拉应力。
在离位错线几个伯格斯矢量以内,应变不再是小量,这些公式失效。KIT 讲义估计刃位错的截断半径约为 1.5b。本实验在离每个位错核一个伯格斯矢量以内截断场,并把原子画在位移后的位置上,所以多出来的半原子面一眼就能看到。
各向同性晶体中直刃位错的位移(平面应变)。它在滑移面上的剪应力,以及沿伯格斯矢量方向的正应力。来源:A. Kauffmann and D. Schliephake · X. Niu
完整例题:两个邻近点上的剪应力
题目。取 ν=0.3。原点处的刃位错在 (4b,2b) 和 (2b,4b) 两点产生的剪应力 σxy 各是多少?
前置系数。1/[2π(1−ν)]=1/(2π×0.7)=0.2274,于是 σxy=0.2274μbx(x2−y2)/(x2+y2)2。
第一点。x(x2−y2)/(x2+y2)2=4×12/202=0.12/b,所以 σxy=0.0273μ。
第二点。2×(4−16)/202=−0.06/b,所以 σxy=−0.0136μ。两点离位错核一样远,应力却符号相反、大小不同,因为第二点越过了 x=y 这条线。
检验。本实验的颜色标尺从 −0.04μ 到 +0.04μ,两点都落在范围内。路线基准沿 24 个固定种子的圆做位移梯度的数值积分:包住位错核的 12 个圆,缺口与 b 相差不超过 2.5×10−11b;没包住的 12 个,缺口不超过 1.3×10−11b。对数值应变用胡克定律,重现应力公式的相对误差在 1.5×10−8 以内。
结论。(4b,2b) 处为 0.0273μ,(2b,4b) 处为 −0.0136μ。
来源:A. Kauffmann and D. Schliephake · X. Niu