绝缘薄膜变成了探针
Giaever 在 1960 年用薄绝缘层隧穿探测超导电极。势垒既要允许可测电流，又要保留对两侧能态的敏感性。
低偏压电流受到压低，较高偏压下恢复，超导激发能隙由此变成可测电信号。这与 Esaki 半导体的占据重叠机制不同。
电压挑选可达的终态
低温下，正常金属接超导体的电流起始与超导能隙有关。两侧都超导时，两种态密度发生卷积，显著阈值涉及两侧能隙之和；热占据会把边缘抹圆。
来源：[1]
结缺陷可能装出额外能态
针孔会提供绕开隧穿的普通导电通道，加热和有限温度也会带来隙内电流。若要定量反推态密度，除了阈值，还需要结质量检查与温度依赖。
来源：[1]
相关势垒模型补充隧穿环节
势垒透射解释绝缘膜为何不阻止所有电子，但省略电极占据和超导相干因子。能隙的历史证据来自完整电结实验；它与 Esaki 的工作同属 1973 年实验隧穿授奖的一半。