整数量子 Hall 效应：平台怎样成为电阻基准

Hall 电阻与 Hall 电导通过完整输运张量联系，必须同时检查纵向耗散。

1980 年测量采用硅反型层

von Klitzing、Dorda、Pepper 测量硅晶体管结构中的二维电子系统。强垂直磁场下，改变载流子浓度时，Hall 电阻出现可重复平台。

在合适条件下，平台数值对器件几何不敏感。1985 年授奖表彰这一发现，它给电学计量带来新的量子基准。

来源：[2][1]

理想整数平台中，纵向响应可忽略时，Hall 电导是电导量子的整数倍。Landau 量子化提供能级，局域化帮助形成转变之间的有限平台区间；能级图仍不是完整输运测量。

\begin{gathered}\sigma_{xy}=\nu\frac{e^2}{h}\\ R_{xy}=\frac{h}{\nu e^2}\quad(\rho_{xx}\rightarrow0)\end{gathered}

来源：[1][3]

温度、电流、接触质量与纵向电压，可以揭示样品是否偏离量子化状态。跨器件重复同样重要，因为基准要经受住不应改变不变量的条件变化；大电流击穿也是使用边界。

来源：[1]

磁边缘谱与 Chern 绝缘体 Lab 在可控单粒子模型中解释能级、边界和整数拓扑，本专题直接复用。分数 Hall 液体需要关联，另文讨论，不能从整数 Chern 数直接推出来。