被偏置倾斜的相位势
相位是整个电路的集体坐标。势能图放在数据区,不画成芯片上的实体。
C-X4 · 反复升高偏置电流
Josephson 结为什么还没到临界电流就跳出零电压态? 低于临界电流时,相位仍被有限势垒困住。热涨落能让它翻过去,低温下量子隧穿也能让它穿过去。反复升高电流,开关就出现在一组低于临界值、并不完全相同的电流上。
反复升高电流,记下结两端何时出现电压。用同一个势垒,比较热激活和基态量子隧穿近似。
从实验中读出
青色:采样的开关直方图。琥珀色:同温度热激活对照。两者都采用合成结参数。
物理教程
背景偏置电流把 Josephson 相位势倾斜。零电压态对应一个亚稳极小值,和持续转动的相位之间隔着有限势垒。
为什么值得理解一次开关分不清逃逸机制。反复升高电流,才能比较分布随温度和电容怎样变化。
先抓重点
相位是整个电路的集体坐标。势能图放在数据区,不画成芯片上的实体。
电流接近临界值时,势垒降到零。
直方图来自存活概率减少的部分。标准差由保存下来的样本计算。
容易误解图上运动的载流子就是穿过势能图的那个粒子。
正确理解逃逸坐标是结两端的集体相位差。装置动画重放电压开关,不追踪微观配对电子的路径。
先选“低温隧穿”,再选“低温热激活对照”。
你会看到: 低温热逃逸受到指数抑制,基态隧穿近似仍给出有限逃逸率。选“升温越过势垒”,再调温度。
你会看到: 热逃逸变容易后,开关移到更低的电流。比较“低温隧穿”和“增大结电容”。
你会看到: 电容增大会降低等离子体频率,同一偏置下的 WKB 逃逸率减小。