材料边界带来新的控制量
Kroemer 在 1957 年提出异质结晶体管，1963 年又出现独立的双异质结构激光方案。材料成分开始被用来安排载流子的运动；Alferov 团队依靠外延生长把构想做成器件。
约 1970 年，异质结构激光器实现室温连续工作，成为重要突破。2000 年授奖涵盖高速电子与光电子器件中的异质结构发展。
带阶分别影响电子与空穴
导带台阶改变电子在界面遇到的能量，价带台阶影响空穴。两者怎样分配，取决于材料组合与界面，不能把整个带隙差随意算到一种载流子头上。
来源：[1]
载流子和光都需要限制
双异质结构中，窄带隙有源层可以留住注入载流子；合适的折射率差还能导光，让光与有源层更好重叠。限制载流子和限制光互相配合，却各有成立条件。
来源：[2]
注入测量比势阱能谱多一步
新界面 Lab 改变带阶，在明确的输运近似下追踪注入；已有量子阱模型补充能级背景。示意带阶或几个束缚能级，都不能替真实激光器证明阈值、寿命和制造质量。