两个紧挨的触点改变了实验
1947 年 12 月，Bardeen 和 Brattain 用压在锗上的相邻点触头获得放大。早先简单场效应方案受到表面态阻碍，成功的器件把半导体表面推到研究中心。
Shockley 后来的结型晶体管理论提供另一条控制载流子的路。1956 年联合授奖涵盖半导体研究和晶体管效应，两种器件的结构仍需区分。
增益要放在有偏置的电路中量
输入端的变化调节被输出端收集的载流子，输出端另有电源。要说明增益，必须交代信号源、负载，并测电压和电流；只有电阻改变，还不等于获得功率放大。
结型输出曲线说明哪里适合放大
结型晶体管的基区很薄，许多注入的少数载流子能到达集电极。输出曲线分出放大区、截止区与饱和区。增益随偏置和器件结构变化，不是材料独有的常数。
来源：[2]
新 Lab 研究结型器件
输出特性 Lab 把载流子控制与集电极电流扫描连起来，解释偏置和饱和。点接触的历史结果仍是另一个实验，具体几何和表面物理见原始叙述。