巨磁阻：磁化方向怎样改变电阻

原始多层膜和三层膜实验的温度、结构不同，电阻变化幅度不能互换。

两个实验看到了显著电阻变化

Fert 团队于 1988 年报告铁／铬多层膜巨磁阻，Grünberg 团队的相关层状结构结果发表于 1989 年。两项独立工作把磁构型和电输运联系起来。

常见图中幅度很大的多层膜信号来自低温测量；室温三层膜的幅度较小。比较曲线必须保留样品和温度标注。

来源：[1][2]

电子受散射的强弱，与自旋相对磁层的方向有关。磁层平行时，一种自旋通道可沿途较顺畅；反平行时，两种通道都会遇到较不利的磁层。

来源：[1]

给定平行与反平行电阻后，余弦形插值可以描述简单自旋阀。它不从外场求磁化方向，不包含磁畴翻转，也不从原子结构计算界面散射。

R(\theta)=R_{\parallel}+\frac{R_{\mathrm{AP}}-R_{\parallel}}{2}(1-\cos\theta)

来源：[1][2]

Lab 把可见的薄层、磁化箭头与合成电阻扫描连起来，以相对角度为控制量。原始外场扫描还包含层间磁耦合和磁滞，简单角度模型不包括这些过程。

来源：[1][3]

2007 Nobel scientific background: giant magnetoresistance
比较低温多层膜与室温三层膜实验，解释自旋相关散射。
Fert: Nobel lecture slides on giant magnetoresistance (2007)
电阻曲线标明层厚、温度和平行／反平行构型。
Nobel Prize in Physics 2007: official award
核对获奖归属与年份。原始观测或理论论文往往早得多。