重掺杂让隧穿变得可测
Esaki 在 1957 年开展、1958 年发表的锗结工作采用重掺杂。耗尽层变窄，载流子占据进入简并范围，隧穿便能与普通二极管导电竞争。
正向偏压升高时，电流先升后降。可重复的负微分电阻，是需要理论解释的实际观测。
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电流并不只由透射率决定
电子需要已占据的起点，也需要能量合适的空终态。偏压会改变两边的重叠；越过峰值后，可参与的能态变少，电压更高，电流反而更小。
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谷底还有别的导电过程
更大正偏下，普通扩散电流逐渐增大。声子辅助与缺陷相关过程也会抬高谷底，因此峰谷比随温度和结质量变化。器件仍需要偏置电源供能。
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势垒 Lab 解释其中一个环节
势垒透射计算解释薄势垒为何能放过电子，却没有简并半导体的两侧载流子库，不能单独给出完整隧道二极管曲线。Esaki 与 Giaever 同属 1973 年一个授奖分项，研究的电子系统却不同。