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Sandbox Physics
微磁学 · 边学边做实验

L2 · 第 3 章

交换作用让磁化平滑,也决定网格要多细

交换作用让相邻磁矩彼此对齐,磁化方向一弯曲就要付出能量。它与杂散场或各向异性相互竞争,定出磁化方向能够改变的最短长度,只有几纳米:本课程的 Pt/Co 薄膜是 4.59 nm 和 5.60 nm。有限差分模拟把平滑的磁化换成一个个格子,误差随格子尺寸的平方减小。把格子减半,误差应当降到四分之一。

交换能和交换场

铁磁体中相邻自旋倾向于平行。到了连续介质里,这变成能量密度 A(∇m)2A(\nabla\mathbf{m})^2(Abert 2019,式 10),交换劲度 AA 的单位是焦耳每米。均匀磁化不花能量;扭转越急,代价越高。

进入 Landau-Lifshitz-Gilbert 方程的有效场,等于能量对磁化求导取负号,再除以 μ0Ms\mu_0M_s。对交换能,结果是 (2A/μ0Ms)∇2m(2A/\mu_0M_s)\nabla^2\mathbf{m}:把每个磁矩拉向邻居平均方向的场。

Eex=A∫(∇m)2 dV,Heff=−1μ0MsδEδm,Hex=2Aμ0Ms∇2mE_{\mathrm{ex}}=A\int(\nabla\mathbf{m})^2\,\mathrm{d}V,\qquad \mathbf{H}_{\mathrm{eff}}=-\frac{1}{\mu_0M_s}\frac{\delta E}{\delta\mathbf{m}},\qquad \mathbf{H}_{\mathrm{ex}}=\frac{2A}{\mu_0M_s}\nabla^2\mathbf{m}

完整例题

同一个场,放到一串格子上

把薄膜条沿 xx 切成长度为 aa 的格子,每格一个方向 mi\mathbf{m}_i,用相邻格子之差代替梯度。每条键跨过长度 aa,梯度平方约为 ∣mi+1−mi∣2/a2|\mathbf{m}_{i+1}-\mathbf{m}_i|^2/a^2,所以单位截面的能量是 E/S=(A/a)∑i∣mi+1−mi∣2E/S=(A/a)\sum_i|\mathbf{m}_{i+1}-\mathbf{m}_i|^2。

第 ii 格出现在两条键里。求导得 ∂(E/S)/∂mi=(2A/a)(2mi−mi+1−mi−1)\partial(E/S)/\partial\mathbf{m}_i=(2A/a)(2\mathbf{m}_i-\mathbf{m}_{i+1}-\mathbf{m}_{i-1}),再除以 −μ0Msa-\mu_0M_sa(一个格子的体积因子),就得到下面的场:它正是把连续交换场中的二阶导数换成中心差分。

畴壁实验就是这样搭起来的。它的第一项检验对离散能量做数值求导,交换场与能量梯度的负值相差不到十亿分之九。斯格明子实验在二维网格上做同样的事。

Hex,i=2Aμ0Ms mi+1+mi−1−2mia2\mathbf{H}_{\mathrm{ex},i}=\frac{2A}{\mu_0M_s}\,\frac{\mathbf{m}_{i+1}+\mathbf{m}_{i-1}-2\mathbf{m}_i}{a^2}

交换作用定出的长度

只有交换作用,一切都会变均匀。它要和偏爱磁化弯曲的能量竞争。与杂散场平衡,得到交换长度 ℓex=2A/(μ0Ms2)\ell_{\mathrm{ex}}=\sqrt{2A/(\mu_0M_s^2)};与垂直各向异性 K0K_0 平衡,得到畴壁宽度参数 Δ=A/K0\Delta=\sqrt{A/K_0}。

标准问题磁体 A=13 pJ/mA=13\,\mathrm{pJ/m}、Ms=800 kA/mM_s=800\,\mathrm{kA/m},交换长度为 5.69 nm。后面几章用的 Pt/Co 薄膜 A=16 pJ/mA=16\,\mathrm{pJ/m}、Ms=1.1 MA/mM_s=1.1\,\mathrm{MA/m}、K0=510 kJ/m3K_0=510\,\mathrm{kJ/m^3},交换长度为 4.59 nm,Δ=5.60 nm\Delta=5.60\,\mathrm{nm}。这些薄膜中的畴壁和斯格明子都在这个尺度上转向,格子要多小,也就有了标准。

ℓex=2Aμ0Ms2=4.59 nm,Δ=AK0=5.60 nm(Pt/Co)\ell_{\mathrm{ex}}=\sqrt{\frac{2A}{\mu_0M_s^{2}}}=4.59\,\mathrm{nm},\qquad \Delta=\sqrt{\frac{A}{K_0}}=5.60\,\mathrm{nm}\quad(\text{Pt/Co})

格子错在哪里,错多少

把 m(x±a)\mathbf{m}(x\pm a) 做泰勒展开。中心差分里奇次项互相抵消,剩下 (mi+1+mi−1−2mi)/a2=m′′+a2m′′′′/12+…(\mathbf{m}_{i+1}+\mathbf{m}_{i-1}-2\mathbf{m}_i)/a^2=\mathbf{m}''+a^2\mathbf{m}''''/12+\dots。主误差正比于 a2a^2 和四阶导数;纹理在几纳米内转弯的地方,四阶导数就大。相对误差因此大致按 (a/Δ)2(a/\Delta)^2 变化。

Miltat 和 Donahue 用一个要求严格的算例得出同样的实用规则:格子要明显小于交换长度,才能充分收敛。我们只读了他们那一章的摘要,所以课程只引用这条结论,不引用具体数字。

mi+1+mi−1−2mia2=m′′+a212 m′′′′+O(a4)\frac{\mathbf{m}_{i+1}+\mathbf{m}_{i-1}-2\mathbf{m}_i}{a^2}=\mathbf{m}''+\frac{a^2}{12}\,\mathbf{m}''''+O(a^4)

完整例题

格子减半,读出收敛阶

若误差 e(a)≈Cape(a)\approx Ca^p,则 e(a)/e(a/2)=2pe(a)/e(a/2)=2^p,实测收敛阶 p=log⁡2[e(a)/e(a/2)]p=\log_2[e(a)/e(a/2)]。二阶方法的比值应在 4 附近。

畴壁实验把静止 Bloch 壁的能量与精确值 4AK0=11.42 mJ/m24\sqrt{AK_0}=11.42\,\mathrm{mJ/m^2} 比较。格子取 2、1、0.5、0.25 nm 时,能量分别偏低 0.54%、0.133%、0.033%、0.0083%。相邻比值为 4.06、4.01、4.00,即 p=2.02p=2.02、2.01、2.00。畴壁被分辨开了,误差预算也就清楚了。

不随格子缩小的差距,就不是网格误差。斯格明子基准中 D=3.4 mJ/m2D=3.4\,\mathrm{mJ/m^2} 时,弛豫后的斯格明子在 2 nm 格子上比孤立剖面小 10.0%,在 1 nm 格子上小 9.1%,格子减半只动了 1 个百分点。剩下的差距来自模型本身:薄膜在横向每 60 nm 重复一次,自由半径 17.3 nm 的斯格明子会感受到自己的周期像。

p=log⁡2e(a)e(a/2):0.54%0.133%=4.06,0.133%0.033%=4.01,0.033%0.0083%=4.00p=\log_2\frac{e(a)}{e(a/2)}:\qquad \frac{0.54\%}{0.133\%}=4.06,\quad\frac{0.133\%}{0.033\%}=4.01,\quad\frac{0.033\%}{0.0083\%}=4.00

为什么要共享标准算例

收敛只说明离散模型逼近了它自己的连续模型,并不说明两套程序解的是同一个连续问题,更不说明连续模型描述了真实器件。NIST 因此发布微磁学标准问题,并维护公开的参考程序 OOMMF:不同团队计算同一道规定好的题,再相互比较。本课程的几个实验只借用其中一道题的几何和常数,检验时对照的是解析极限。

带着问题动手

先预测,再改变,最后解释

  1. 斯格明子实验的格子是 2 nm。D=3.0 mJ/m2D=3.0\,\mathrm{mJ/m^2} 时孤立斯格明子半径 9.40 nm,2.82.8 时为 7.34 nm。预测:哪种取值下,2 nm 格子对斯格明子的描述偏差更大?
  2. 把“界面 DMI”设为 2.82.8,展开“更多读数与保存的记录”,比较“核半径”和无边界连续薄膜中孤立斯格明子的核半径;再调回 3.03.0。
  3. 用误差随 (a/R)2(a/R)^2 变化的规律(RR 为斯格明子半径)解释两者的差别,并说明实验为什么把 DMI 滑块的下限定在 2.8。

单畴实验把 muMAG 第 4 号标准问题的小条当作一个磁矩。畴壁和斯格明子实验使用 Thiaville 等的 Pt/Co 薄膜,杂散场按局域项处理。三个实验都在零温下运行。

试着自己解释

1. 计算 A=16 pJ/mA=16\,\mathrm{pJ/m}、Ms=1.1 MA/mM_s=1.1\,\mathrm{MA/m} 时的交换长度。

展开答案与解释

μ0Ms2=1.52×106 J/m3\mu_0M_s^2=1.52\times10^{6}\,\mathrm{J/m^3},所以 ℓex=3.2×10−11/1.52×106 m=4.59 nm\ell_{\mathrm{ex}}=\sqrt{3.2\times10^{-11}/1.52\times10^{6}}\,\mathrm{m}=4.59\,\mathrm{nm}。

2. 用 1、0.5、0.25 nm 格子计算自由边缘倾斜,与连续值分别相差 0.133%、0.035%、0.0090%。实测收敛阶是多少?0.125 nm 时误差预计多大?

展开答案与解释

比值为 3.8 和 3.9,收敛阶接近 2。再除以 4,预计 0.125 nm 时约为 0.0022%。

3. 格子减半后结果只变了 1%,但它和参考值差 9%。你该去找什么?

展开答案与解释

这时要找模型与参考值的差别:边界条件、计算区域大小、略去的能量项,或者两边比较的量根本不同。只有改模型才能补上这个差距。

可以放在旁边读的来源

  1. Abert, Micromagnetics and spintronics: models and numerical methods, European Physical Journal B 92, 120 (2019), arXiv:1810.12365v2

    读过:交换能(式 10)、退磁场(2.3 节)、单轴各向异性(2.4 节)、界面 DMI(式 33)及其边界项(3.5 节)、Gilbert 形式和显式形式的 Landau-Lifshitz-Gilbert 方程(式 117、118)、磁化长度守恒与能量耗散(式 120 至 125)、Zhang-Li 力矩(式 134)以及有限差分方法(6.1 节)。其余章节没有读。

  2. NIST, Computational Micromagnetics (program overview)

    读了整页:说明为什么要发布标准问题,以及公开的 OOMMF 程序。页面里没有方程或参考数值。

  3. Miltat & Donahue, Numerical Micromagnetics: Finite Difference Methods, Handbook of Magnetism and Advanced Magnetic Materials, Vol. 2 (2007), NIST publication record

    只读了摘要。摘要说,一个要求严格的算例只有在网格明显小于交换长度时才收敛。正文没有读,课程只引用这一结论。

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