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Sandbox Physics
电化学与离子输运

L3 · 第 7 章

一条阻抗圆弧能告诉我们多少

一条完整的阻抗圆弧可以给出溶液电阻、有效反应电阻和电容,却未必能分开微观反应途径。先弄清每个频率量到什么,再对保存的频谱拟合,才能分清参数测得不准与参数根本无法由这些数据决定。

让电压慢慢摇,再快快摇

给稳定电极施加很小的正弦电压,频率为 ff,每秒完成 ff 次周期。角频率 ω=2πf\omega=2\pi f 用每秒弧度表示。若系统在这个幅度下近似线性,电流也以同一频率振荡,但幅度和到达峰值的时刻可以不同。

阻抗同时记录电压与电流的幅度比,以及它们的相位差。只给一个幅度比会丢掉关键内容:电阻电流与电压同时到峰值,电容电流则领先四分之一周期。低频时电容有足够时间充放电,高频时同样电流只需很小的电压摆幅。

对应阅读:MIT 10.626

复数只是同时记住大小和相位的方法

用复数的实部和虚部分别记两种相差四分之一周期的分量。虚数单位记为 i\mathrm i,满足 i2=−1\mathrm i^2=-1;物理电流仍写 II,两者不要混淆。把随时间变化的共同因子 eiωτe^{\mathrm i\omega\tau} 提出来,留下的复幅值叫相量。实际电压或电流取整个表达式的实部。

电阻的电压与电流同相,所以阻抗就是实数电阻。电容满足电流等于电容乘电压变化率;对共同时间因子求导,会乘上 iω\mathrm i\omega,于是电容阻抗带负虚部。相量让这些时间导数变成代数乘法。

Z=V^I^,ZR=R,ZC=1iωC=−iωCZ=\frac{\widehat V}{\widehat I},\qquad Z_R=R,\qquad Z_C=\frac{1}{\mathrm i\omega C}=-\frac{\mathrm i}{\omega C}
帽号表示复幅值,阻抗单位是欧姆。这里采用随时间正指数的约定;Nyquist 图把负虚部向上画,便于展示电容圆弧。

对应阅读:MIT 10.626

把反应与充电并联,再加上溶液电阻

第六章的反应电流与双电层充电电流感受到同一个界面小过电势,因此两条支路并联。溶液电阻 RsR_s 承受两者电流之和,放在串联位置。把并联的导纳,也就是阻抗倒数,相加后取倒数,得到这个简化的 Randles 型模型。

电容 CdlC_{\rm dl} 和电荷转移电阻 RctR_{\rm ct} 都指整块所建模电极。它们的乘积 τr=RctCdl\tau_r=R_{\rm ct}C_{\rm dl} 是反应与充电分流的时间尺度。模型假设温度和表面浓度在小信号中固定,没有加扩散阻抗或分布电容。

Z(ω)=Rs+(Rct−1+iωCdl)−1Z(\omega)=R_s+\left(R_{\rm ct}^{-1}+\mathrm i\omega C_{\rm dl}\right)^{-1}
低频时电容支路近似开路,阻抗趋向两电阻之和;高频时电容支路趋近短路,阻抗趋向溶液电阻。
Z′=Rs+Rct1+(ωτr)2,−Z′′=Rctωτr1+(ωτr)2Z'=R_s+\frac{R_{\rm ct}}{1+(\omega\tau_r)^2},\qquad -Z''=\frac{R_{\rm ct}\omega\tau_r}{1+(\omega\tau_r)^2}
撇号 Z′Z\prime 与双撇号 Z′′Z^{\prime\prime} 分别表示阻抗实部与虚部。消去频率可得半圆;最高点满足 ωτr=1\omega\tau_r=1。

对应阅读:MIT 10.626

完整算例:从圆弧的三处读出三个参数

高频截距为 35.0  Ω35.0\;\Omega,低频截距为 215  Ω215\;\Omega,圆弧顶点频率为 49.1  Hz49.1\;\mathrm{Hz}。先由高频端得到溶液电阻,再用两截距之差得到 Rct=180  ΩR_{\rm ct}=180\;\Omega。顶点满足角频率乘时间常数为一,给出 Cdl≈18.0  μFC_{\rm dl}\approx18.0\;\mathrm{\mu F}。

这组参数的时间常数为 3.24  ms3.24\;\mathrm{ms}。下表是无噪声的电路真值,频率按顶点频率 fcf_c 归一化。默认合成记录覆盖 0.1  Hz0.1\;\mathrm{Hz} 到 105  Hz10^5\;\mathrm{Hz},并在实、虚两部分各加标准差为 0.8  Ω0.8\;\Omega 的种子可复现 Gaussian 噪声。

Cdl=12πfcRct,fc=12πτrC_{\rm dl}=\frac{1}{2\pi f_cR_{\rm ct}},\qquad f_c=\frac{1}{2\pi\tau_r}
频率必须用赫兹,电阻用欧姆,结果才是法拉。圆弧最高点的横坐标为两截距的中点。
默认电路的无噪声理论值;实际合成记录另含已标注噪声
f/fcf/f_cZ′Z\prime / Ω\Omega−Z′′-Z^{\prime\prime} / Ω\Omega
0.1213.217.82
1125.090.00
1036.7817.82

先保存一份频谱,再问参数是什么

采集时,先把每个频率的实部、虚部和噪声设置保存下来。拟合只读取这份记录,尝试不同的正电阻和正电容,比较预测与记录的差。调节电阻、电容或噪声会采一份新记录;改变反应路径占比或拟合频段时,则反复读取同一份保存的点。

实部和虚部噪声尺度相同时,可以把两种残差的平方相加,寻找最小值。噪声标准差为正时,除以它的平方得到下式,与直接最小化残差平方和给出相同参数;无噪声参考则直接比较未加权残差。拟合后的残差应围绕零起伏;随频率成片偏向一侧,常常提示电路漏掉了物理过程。拟合残差小也需要看频率是否覆盖两个截距和圆弧顶点。

若只测很高频,反应支路的大部分信息都藏在很小的修正中;许多反应电阻会给出近似相同的频谱。这是有限频率和噪声造成的精度问题,扩大频率覆盖可能改善它。

χ2=∑k(Zk,rec′−Zk,model′)2+(Zk,rec′′−Zk,model′′)2σ2\chi^2=\sum_k\frac{(Z'_{k,{\rm rec}}-Z'_{k,{\rm model}})^2+(Z''_{k,{\rm rec}}-Z''_{k,{\rm model}})^2}{\sigma^2}
下标 kk 表示频率点,σ\sigma 是每个实或虚分量的已知噪声标准差。这里的噪声假设是独立等方差;相关误差需要使用协方差。

即使无噪声,有些问题也没有唯一答案

把一个有效反应支路拆成两个并联反应途径。取任意 0<p<10<p<1,令第一条电阻为 R1=Rct/pR_1=R_{\rm ct}/p,第二条为 R2=Rct/(1−p)R_2=R_{\rm ct}/(1-p)。两条导纳相加,始终等于原来有效反应电阻的导纳。电容仍与这两条支路并联。

例如 p=0.5p=0.5 给出两条 360  Ω360\;\Omega 电阻;p=0.2p=0.2 给出 900  Ω900\;\Omega 与 225  Ω225\;\Omega。它们都等效于 180  Ω180\;\Omega。整个频率范围的阻抗完全相同,即便噪声消失,也无法由这份阻抗决定 pp。

要分开两条微观途径,必须增加能让两者响应不同的观测或干预,例如改变反应物、温度或稳态电势,并提出对应的反应模型。有效参数可以精确,微观解释仍需要额外实验。

1R1+1R2=pRct+1−pRct=1Rct\frac1{R_1}+\frac1{R_2}=\frac{p}{R_{\rm ct}}+\frac{1-p}{R_{\rm ct}}=\frac1{R_{\rm ct}}
这是一族严格等效的线性电路,用来展示结构不可辨识性。它没有证明真实电极恰好存在两条指定的微观反应途径。

动手检验预测

对同一份记录换一种解释

  1. 用默认合成记录拟合,先从两个截距估计电阻,再与拟合结果比较。
  2. 先改变拟合频段,检查点集保持原样,再比较完整频段与高频段的参数信息。最后改变电阻或电容,观察新采集的频谱。
  3. 移动两路径分配比例,预测阻抗和残差是否会改变,再解释哪些量能由这份记录决定。

练习与解释性答案

  1. 只见到圆弧左侧高频端的一小段时,为何不能把很小的残差当成三个参数都测准的证据?

    展开解释

    高频端主要测到溶液电阻。反应电阻和电容只通过较小的频率修正影响曲线,可能互相补偿。许多参数组合可以在噪声内重合;需要覆盖顶点与低频端,或加入独立信息。

  2. 若把两条反应路径的比例从一半改成十分之一,等效反应电阻保持不变,需要多低的噪声才能在该模型里分辨?

    展开解释

    无论噪声多低都不行。两条并联路径的总导纳严格不变,所有频率的预测完全相同。这与噪声掩盖微小差异不同,需要能改变路径相对响应的新实验。

来源与计算范围

  1. MIT 10.626, Impedance spectroscopy, 2011 Lecture 5

    正弦响应、复幅值和电路阻抗。课程先介绍正指数时间约定的相量,再用复数运算;Nyquist 图将负虚部向上画。

  2. MIT 10.626, Impedance of electrodes, 2011 Lecture 6

    集总小信号电极中的反应电阻与双电层电容。频谱模型采用溶液电阻串联一个反应电阻与电容的并联组合,没有扩散元件。

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