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Sandbox Physics

E56 · 光电子显微

微区 / 纳米 ARPES:光斑与畴

光斑更小,能看清窄畴又不把它损坏吗? 能,但光斑、计数和曝光得拿捏好。光斑聚得越小,越能分辨窄畴,可收到的计数也越少,谱就更噪。延长曝光来补计数,剂量又会在这块畴上越积越多,可能把它损坏。三者得同时兼顾。

让双畴样品逐点移过聚焦光子束。查看每个栅格点记录的谱,用两个能量门画出窄畴的位置。要在光学通量、计数噪声、能量分辨和样品累计受到的曝光之间取得平衡。

交互模型微区 / 纳米 ARPES:光斑与畴
记录低能量门比例—\text{—}
条件计数区间半宽—\text{—}
两个门的记录总计数—\text{—}
选定驻留期间已知存留—\text{—}
更多测量与实验目标
分析器能量半高全宽—\text{—}
透射光子速率—\text{—}
栅格总时长—\text{—}
最终最大剂量 / 临界剂量—\text{—}
实验目标—\text{—}

物理教程

空间图是一系列光谱

背景聚焦光学只照亮样品上的一小块。平移样品,哪些畴贡献到谱里也随之改变。

为什么值得理解光斑越小,看得越细,但通量越低,剂量也越集中。相邻栅格点的光斑会重叠,一个像素可能还没轮到记录,就已经被照过了。

先抓重点

核心问题
光斑更小,能看清窄畴又不把它损坏吗?
一句话直觉
先用记录的能量门找到畴,再看它的谱和单独的剂量模型。图像亮,不等于知道了成分。

核心数学模型

光斑宽度与高斯宽度

σr=w8ln⁡2\sigma_r=\frac{w}{\sqrt{8\ln 2}}

强度半高全宽决定高斯宽度,用来对每个样品单元的照明积分。

一次驻留内的平均存留

s‾=e−D01−e−δDδD\overline s=e^{-D_0}\frac{1-e^{-\delta D}}{\delta D}

剂量以假定的临界剂量为单位。新增剂量趋于零时,取连续极限。

单个能量门的计数比例

rB=CBCA+CBr_B=\frac{C_B}{C_A+C_B}

这个比例只用存储的探测计数。两条谱线产额相同、两个能量门互不重叠,都是假设。

常见难点

图像不等于样品本身

容易误解图像直接显示真实样品。

正确理解图像显示的是两个能量门中记录计数的比例。先在图上找到畴,再看它的谱和单独的剂量模型;只凭亮度定不了成分。

动手实验

  1. 01

    预测畴的混合

    比较“宽光斑混合畴”和“分辨窄畴”两个预设。

    你会看到: 光斑宽时,两条能带混在一起;小光斑靠近窄畴时,两条能带分开。
  2. 02

    检查已记录的位置

    调整“选择存储栅格列”和“选择存储栅格行”,在窄畴上点“核对目标”。

    你会看到: 选点只改变显示的谱,记录图和累计剂量不变。
  3. 03

    检验分辨和样品损伤

    比较“纳米光斑计数不足”“长曝光损伤扫描”和“打开狭缝使能量门混合”。

    你会看到: 计数多了可能掩盖损伤;光斑再小,也补救不了过宽的能量响应。
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