高斯光学强度
强度半高全宽决定样品单元照明积分中的高斯宽度。
E56 · 光电子显微
让双畴样品逐点经过聚焦光子束,检查每个栅格位置的记录谱,用两个能量门定位窄畴。平衡光学通量、计数噪声、能量分辨与累计曝光。
物理教程
背景聚焦光学选取小块样品区域。平移样品会改变光谱中的畴贡献。
为什么值得理解小光斑改善局部性,却降低通量并集中剂量。栅格重叠使一个像素在自身光谱记录前就可能被照射。
先抓重点
强度半高全宽决定样品单元照明积分中的高斯宽度。
剂量以假定临界剂量归一化,新增剂量趋于零时采用连续极限。
此比例仅读取存储探测计数;相同线产额与分离能量门是假设。
容易误解图像直接揭示真实样品。
正确理解用记录能量门定位畴,再检查光谱与独立剂量模型。明亮的图像本身不能确定成分。
比较宽光斑与分辨窄畴预设。
应该观察到: 宽光斑混合两条能带,小光斑在窄畴附近分离它们。移动选定列与行,在窄畴核对目标。
应该观察到: 选点改变显示谱,记录图与累计剂量保持不变。比较计数不足、损伤与打开狭缝预设。
应该观察到: 更多计数可能掩盖损伤,小光斑也无法修复宽能量响应。