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Sandbox Physics

光学 042 · 干涉、相干、光腔与精密测量

Young 双缝实验台

缝宽、缝距、相位和相干性,各自怎样改变双缝条纹? 缝距决定条纹间距,两缝离得越远,条纹越密。单缝宽度决定外层的衍射包络,条纹恰好落在包络的零点上就会消失。相位差让条纹在包络下整体平移;相干性不够,明暗对比就变弱。

在三维双缝台上把衍射和干涉分开,再测量缺级、部分相干的影响,以及两缝振幅不等时的对比度。

交互模型Young 双缝实验台
共同屏幕采样点 I(yp),ypI(y_p),y_p0.500.50
条纹间距/包络第一零点 Δy,y1\Delta y,y_150%50\%
相位扫描可见度/宽度比/远场检查 Vphase,d/a,FAV_{\mathrm{phase}},d/a,F_A0.00π0.00\pi
模型适用区间模型适用\text{模型适用}

物理教程

检验Young 双缝实验台的物理过程

背景有一定宽度的缝,射出的光会散开成一片角度,而不是一条细光线。在标量近轴远场里,屏幕上的场就是孔径的 Fourier 变换:U(y)∝∫t(s)e−i2πys/(λL) dsU(y)\propto\int t(s)e^{-i2\pi ys/(\lambda L)}\,ds。每条缝内部的光彼此相干,缝在竖直方向无限长。两缝宽度相等,所以共用同一个 sinc 振幅。三维图里的两条线示意通往采样点的相位路径,不是求解出的近场强度,光也不是只沿这两条线走。开口的宽度和中心距会真的改变,屏幕也会真的移动。

为什么值得理解缝宽、缝距、相位和相干性,各自怎样改变双缝条纹?

先抓重点

核心问题
缝宽、缝距、相位和相干性,各自怎样改变双缝条纹?
一句话直觉
屏幕上的图样由两个互相独立的尺度决定:Δy=λLd,y1=λLa\Delta y=\frac{\lambda L}{d},\qquad y_1=\frac{\lambda L}{a}。缝宽决定金色的衍射包络,缝距决定青色的干涉周期。图样是两者的乘积,所以即使两束波在某处同相,那一级也可能消失。改变初相位只移动条纹,包络不动。

核心数学模型

两个 Fourier 振幅

u−=sinc⁡(β)eiα,u+=rsinc⁡(β)ei(ϕ−α)β=πayλL,α=πdyλL,sinc⁡(x)=sin⁡xx,sinc⁡(0)=1\begin{aligned}u_-&=\operatorname{sinc}(\beta)e^{i\alpha},\quad u_+=r\operatorname{sinc}(\beta)e^{i(\phi-\alpha)}\\\beta&=\frac{\pi ay}{\lambda L},\quad\alpha=\frac{\pi dy}{\lambda L},\quad\operatorname{sinc}(x)=\frac{\sin x}{x},\quad\operatorname{sinc}(0)=1\end{aligned}

左缝中心坐标为负,右缝为正。Fourier 变换的符号约定,决定了正相位让条纹往哪边移。sinc 每过一个零点就变号;两缝振幅带着同一个符号,相量里必须保留它。

互相干只作用于交叉项

IIref=∣u−∣2+∣u+∣2+2μRe⁡(u−∗u+)4=μ∣u−+u+∣24+(1−μ)∣u−∣2+∣u+∣24\frac{I}{I_{\mathrm{ref}}}=\frac{|u_-|^2+|u_+|^2+2\mu\operatorname{Re}(u_-^*u_+)}4=\mu\frac{|u_-+u_+|^2}4+(1-\mu)\frac{|u_-|^2+|u_+|^2}4

降低相干度只会削弱交叉项。面板把相干部分和非相干部分分开显示,不用一个虚构的电场来代表部分相干。两缝处的互相干度是用户设定的恒定实数。SPEAR3 论文是对比度测量的依据,但这里不模拟它的光源尺寸反演和光学系统。

缺级与相位扫描对比度

ym=(m+ϕ2π)λLd,yn=nλLa,Vphase=2μr1+r2y_m=\left(m+\frac{\phi}{2\pi}\right)\frac{\lambda L}{d},\quad y_n=n\frac{\lambda L}{a},\quad V_{\mathrm{phase}}=\frac{2\mu r}{1+r^2}

两波同相的级次,如果落在包络的非中心零点上,就会消失。初相位为零、缝距是缝宽三倍时,每三级缺一级。相位对齐刻度并不正好是完整乘积的局部极大值。可见度是在包络不为零的固定位置扫描相位测出的;即使完全相干,两缝振幅不等也会让它降低。在包络零点,局部对比度没有定义。

参考标尺和近似的适用范围

IrefIinc=4a2λL,FA=[(d+a)/2]2λL≤0.081,∣y∣L≤0.020\frac{I_{\mathrm{ref}}}{I_{\mathrm{inc}}}=\frac{4a^2}{\lambda L},\quad F_A=\frac{[(d+a)/2]^2}{\lambda L}\le0.081,\quad\frac{|y|}{L}\le0.020

缝在竖直方向无限长时,一维 Fresnel 核给出当前几何下的参考强度,以入射强度为基准。它随屏距成反比下降,而不是有限二维孔径在远场中的平方反比。所有图都按这个参考画在零到一之间,不会按当前最大值自动放大。远场条件检查用的是整个水平半孔径,不只是一条缝的宽度。屏幕颜色是示意用的 RGB,不是校准过的色度。这是近似模型,不是 Maxwell 求解、Fresnel 近场计算、有限缝高模型或光子计数模拟。

常见难点

缝变宽,包络不会跟着变宽

容易误解缝宽变大、缝距变大,孔径都变大了,效果应该一样。

正确理解两者是不同的 Fourier 因子。每条缝变宽,包络变窄;中心距变大,条纹变密。改变相位会移动对齐刻度;降低相干度会把干涉暗纹填亮,但包络零点不动。右缝振幅为零时,只剩单缝包络,峰值是等宽双缝参考值的四分之一。

动手实验

  1. 01

    场景 1:窄缝干涉

    在窄缝预设里,先改变中心距,再改变屏距和波长。按住 Shift 拖动游标,或用它的滑块,把游标移到一条暗纹上。把初相位设为 180 度,中心就变暗。

    你会看到: 改变中心距,条纹周期变了,包络不变;屏距和波长会同时缩放两者。装置图、振幅、剖面和读数用的是同一个白色采样点。
  2. 02

    场景 2:每三级缺级

    选择缺级预设。测量落在金色包络零点上的第三级相位对齐刻度,再改变缝宽或相位,让两者错开。

    你会看到: 第三级变暗,是因为每条有限宽缝的振幅都在那里变成零,并不是两缝突然失去相干。初相位不会移动包络零点。
  3. 03

    场景 3:部分相干,不是调暗

    选择部分相干。先把相干度降到零;再把它恢复,改为把右缝振幅降到零。比较交叉项贡献和基线贡献。

    你会看到: 相干度为零时,屏上只是两缝各自强度的和;挡住一条缝,干涉就完全消失。振幅不等和部分相干,是对比度降低的两种不同原因。

相关实验与文章

继续探索

孔径、传播与测量

依次改变缝数、相干性、孔径形状或传播距离,比较各自的作用。

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