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Sandbox Physics

E13 · 场发射与束流减速

低能电镜:在表面减速

电子能在柱内飞快、到表面却轻缓吗? 能。给样品加负偏压,电子快到表面时才被减速:在镜筒里一路高速飞行,落到表面时能量已经很低,只在很浅的表层起作用。

电子柱保持高能,样品加负偏压,让电子落到表面前先减速。在深度敏感度、束斑宽度、计数噪声和设定的充电之间取舍,把薄膜图形找回来。

交互模型低能电镜:在表面减速
实际着陆能量—\text{—}
指定薄膜深度权重—\text{—}
调制与代表性像素噪声之比—\text{—}
指定负充电电势幅值—\text{—}
更多测量与实验目标
所选存储探测器计数—\text{—}
由计数得到的薄膜谐波振幅—\text{—}
相对独立薄膜的振幅误差—\text{—}
指定帧位移跨度—\text{—}
合成高斯响应半高宽—\text{—}
每像素入射剂量—\text{—}
实验目标—\text{—}

物理教程

低能电镜:在表面减速

背景电镜可以让电子柱保持高能,再给样品加负偏压,让电子减速后轻轻落下。这里要在深度敏感度、束斑宽度、计数噪声和设定的充电之间取舍,把薄膜图形找回来。

为什么值得理解任务:测出的薄膜谐波振幅与单独给出的输入相差不超过 0.02。同时,代表像素的调制噪声比至少为 8,响应半高宽不超过 8 纳米,薄膜深度权重至少百分之九十,设定的充电不超过 20 伏特。

先抓重点

核心问题
电子能在柱内飞快、到表面却轻缓吗?
一句话直觉
信号来自多深,由着陆能量决定;束斑多宽,柱能量仍有份。

核心数学模型

能量与剂量

El=Ec−e∣Vb∣−e∣Vq∣Ninc=Iτ/eD=Ninc/p2\begin{aligned}E_l&=E_c-e|V_b|-e|V_q|\\N_{inc}&=I\tau/e\\D&=N_{inc}/p^2\end{aligned}

样品台负偏压和负充电都会降低着陆能量;降到零或以下,电子落不到样品上,扫描什么也记录不到。

设定的深度权重与模糊

L=12 nm(El/keV)1.5wt=1−e−t/LH(k)=e−k2σ2/2\begin{aligned}L&=12\,\mathrm{nm}(E_l/\mathrm{keV})^{1.5}\\w_t&=1-e^{-t/L}\\H(k)&=e^{-k^2\sigma^2/2}\end{aligned}

指数深度权重和高斯模糊都会削弱信号里的薄膜图形。

从记录计数求谐波

C^=2n∑jyjcos⁡(kxj)S^=2n∑jyjsin⁡(kxj)A^=C^2+S^2\begin{aligned}\widehat C&=\frac{2}{n}\sum_jy_j\cos(kx_j)\\\widehat S&=\frac{2}{n}\sum_jy_j\sin(kx_j)\\\widehat A&=\sqrt{\widehat C^2+\widehat S^2}\end{aligned}

拟合只用归一化后的计数,已知的薄膜和仪器参数都不参与。

常见难点

图像更清楚,信息不一定更多

容易误解图像看着更清楚,解释就一定对。

正确理解显示增益不改变计数,也拆不开混在一起的物理效应。输入参考单独列出,不是测量结果。

动手实验

  1. 01

    预测表面敏感度

    选“埋藏基底主导”预设,对照已知的薄膜图形和深度核。

    你会看到: 束斑再窄,采到的也可能主要是基底信号。
  2. 02

    分开柱能量与着陆能量

    比较两种设置:柱能量 0.5 千电子伏特;柱能量 5 千电子伏特,再加 4.5 千伏负偏压。

    你会看到: 两者着陆能量相同,深度权重也相同,但设定的束斑宽度不同。
  3. 03

    看充电怎样限制扫描

    选“充电与帧剪切”预设,再加大电荷泄放,观察位移和已存各行的拟合。

    你会看到: 停留越久,计数越多,但积起来的电荷也可能挪动束流的落点。
  4. 04

    辨认表面图形

    用偏压让束流减速,保持柱能量,泄放电荷,选一个合适的停留时间,再点“核对目标”。

    你会看到: 显示增益只改变图像外观,丢掉的谐波找不回来。
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