跳到主要内容
Sandbox Physics

E52 · 光电子谱学

UPS:价带与功函数

施加负偏压,采集紫外光电子谱与独立金属参考,再移动拟合窗口。恢复功函数和占据带起点,并检查缺失费米边、无法接收的截止边和低计数。

交互模型UPS:价带与功函数
由测量边得到的功函数—\text{—}
拟合二次电子截止—\text{—}
拟合费米参考—\text{—}
测量截止到费米的能量跨度—\text{—}
测量占据边结合能偏移—\text{—}
测量电离能—\text{—}
仪器等效高斯半高全宽—\text{—}
施加有符号样品偏压—\text{—}
记录样品计数—\text{—}
独立参考计数—\text{—}
费米零点来源—\text{—}
实验目标—\text{—}

物理教程

测量谱宽,而不是绝对截止位置

背景紫外光子揭示占据态,并产生低能二次电子。费米边与二次电子截止界定的谱宽由光子能量和样品功函数决定。

为什么值得理解低能截止可能在分析器接收范围之外,类半导体占据带边也可能被误当作费米能。

先抓重点

核心问题
哪两条边,能测出功函数?
一句话直觉
负偏压使两条边同时提高相同能量,能量差消去偏压与分析器功函数。样品缺少费米边时,独立金属参考提供费米零点。

核心数学模型

负样品偏压下的分析器侧能量

KF=hν−ϕa+e∣Vs∣Kc=ϕs−ϕa+e∣Vs∣\begin{gathered}K_F=h\nu-\phi_a+e|V_s|\\ K_c=\phi_s-\phi_a+e|V_s|\end{gathered}

能量相对分析器真空定义。样品与参考使用相同偏压,费米边与截止包含相同偏压能量。

由测量谱宽得到功函数

ϕs=hν−(KF−Kc)\phi_s=h\nu-(K_F-K_c)

测量差值消去分析器功函数和偏压;氦 I 光子固定为 21.218 eV。两条边必须位于接收能区且识别正确。

占据边结合能偏移与电离能

EV=KF−KVI=ϕs+EV\begin{gathered}E_V=K_F-K_V\\ I=\phi_s+E_V\end{gathered}

类半导体占据边低于费米能,其偏移来自样品计数和独立测量金属边。金属中这一偏移趋于零。

采集与处理

Di∼Poisson(μi),EB,i=KF,fit−KiD_i\sim\mathrm{Poisson}(\mu_i),\qquad E_{B,i}=K_{F,\mathrm{fit}}-K_i

能轴转换复用采集计数。期望率、显示增益与测量谱分开;更换拟合窗口不再扫描。

假定高斯热展宽近似

ΔEF,thermal≃3.53kBT\Delta E_{F,\mathrm{thermal}}\simeq3.53k_BT

用高斯近似匹配费米导数的半高全宽,说明热展宽,并不声称完整费米—狄拉克线形。

常见难点

绝对截止不够

容易误解截止能量就是样品功函数。

正确理解分析器真空偏移和样品偏压进入绝对截止;应测量费米到截止的跨度。

首个占据态不一定是费米能

容易误解任何高能边都是费米边。

正确理解类半导体样品有占据带偏移;将它当作费米边会多算相应功函数。

价带谱含权重

容易误解显示的价带曲线就是精确态密度。

正确理解光电子权重和仪器响应影响强度。本实验采用人为价带峰,不做态密度反演。

动手实验

  1. 01

    恢复探测接收

    从无偏压开始,再选择“测量金属”。

    应该观察到: 负偏压使样品截止高于 1 eV 探测阈值;两条边一起移动。
  2. 02

    放置拟合窗口

    将截止和费米窗口移到可见测量边上,对比“错误截止窗口”。

    应该观察到: 拟合边需要计数和两侧支持;平滑连续项不会被接纳为截止。
  3. 03

    区分费米与占据带边

    使用“占据边低于费米能”,再取消金属参考。

    应该观察到: 样品缺少费米边;恢复独立参考即可重新得到功函数与电离能。
  4. 04

    完成目标并测试限制

    保留足够计数与窄仪器响应后核对,再改变偏压、调整窗口跟随谱边。

    应该观察到: 谱边位置改变,恢复功函数仍接近独立已知值。